2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包05机考期末试卷参考试题

来源:渝粤教育       时间:2025-01-11 03:48:49    12

光伏电池材料卷包-015

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案:B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案:B
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3. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为( )。

TIR

FPD

TTV

WARP

答案:C
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是( )。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下,硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案:D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si,28Si,

28Si,存量最多的是( )。

28Si

29Si

30Si

不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷,主要是( )。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 相平衡条件要求平衡相的( )相等。

温度

压强

体积

化学势

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9. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是( )。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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10. ( )是硅提纯的重要环节。

三氯氢硅的合成

三氯氢硅的还原

三氯氢硅的提纯

硅烷的提纯

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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及( )。

放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

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12. 生产直拉单晶硅时,单晶炉内需要通入( )作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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13. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用,它的作用是( )。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚

加热

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14. 多晶硅属于( )。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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15. GaAs属于( )。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是( )。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃,沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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19. Dash工艺主要解决的是( )。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃,沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是( )。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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2. 硅片的翘曲度一般用( )参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

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3. 铸造多晶硅相对于直拉单晶硅的优点有( )。

材料利用率高

能耗小

成本低

转换效率高

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4. 磷在硅中很容易去除,在于( )。

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是( )。

隔离硅熔体与石英坩埚,减少杂质

绝热,保温

降低热应力

有效较少碎裂,使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于( )。

熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以( )方法为主。

区熔法

热交换法

直拉法

浇铸法

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8. 以下对吸附描述正确的是( )。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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9. 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于( )。

材料和制造工艺成本低

易于形成大规模生产能力以及大面积化生产

易实现柔性电池

具有S-W效应

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10. 下列属于晶体的宏观特性的有( )。

长程有序

固定熔点

解理性

各向异性

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三 、问答题

1. 20世纪50年代初,多位研究者独立创造发展了悬浮区熔技术,并很快用在硅材料的制备中。试简述悬浮区熔法在生长单晶硅时有哪些优点?

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2. 非晶硅薄膜太阳能电池作为一种新型太阳能电池,其原材料来源广泛、生产成本低、便于大规模生产,具有广阔的应用前景。非晶硅材料的吸收系数在整个可见光范围内,在实际使用中对低光强光有较好的适应。如光伏建筑一体化、大规模低成本发电站、太阳能照明光源。简述非晶硅薄膜太阳电池为什么用p-i-n结构?

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