光伏检测与分析-004

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

30～50℃

40～60℃

50～70℃

60～80℃

答案：B
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。

30～50℃

40～60℃

50～70℃

60～80℃

答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

答案：B
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4. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。

离子的质量

离子的浓度

离子的运动

离子的温度

答案：B
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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9. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

5%盐酸

1.0%浓度的亚硫酸氢纳

4%氢氧化钠

1%富尔马林溶液

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10. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

混合氯代硅烷

氯化氢

磷化氢

水

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11. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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12. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。

强酸型阳离子 强碱型阴离子

强碱型阴离子 强酸型阳离子

强酸型阳离子 强酸型阴离子

强碱型阳离子 强碱型阳离子

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13. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

8

9

10

11

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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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15. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

高 大

高 小

低 大

低 小

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16. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。

体密度

面密度

线密度

以上皆不是

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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。

Sirtl腐蚀液

Dash腐蚀液

Wright腐蚀液

Shimmel腐蚀液

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2. 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（ ）。

瞬态法

直接法

稳态法

间接法

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3. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。

反射

折射

吸收

透过

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4. 关于晶面指数，以下说法正确的是（ ）。

与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（101）

与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（010）

和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（001）

和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（110）

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5. 一个气相色谱系统包括（ ）。

可控而纯净的载气源

进样口

色谱柱

检测器

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

1.5%EDTA溶液

碳酸盐结垢

有机物污染及硫酸盐结构

1%富尔马林溶液

3%柠檬酸溶液

细菌污染

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2. 将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。

逆流分层

由入酸口将6%-10%的盐酸溶液，流入柱内，严格控制流过阳离子交换树脂层的流速，使其在0.5-1h内流完

碱液再生阴离子交换树脂

对树脂进行短时间的强烈反冲，使阴阳离子交换树脂充分分层

酸液再生阴离子交换树脂

由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内，控制流速，使其在15-30min流完

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3. 硅中氧吸收峰的强弱与波长关系，请一一对应。

1105.0cm-1

中

515.0cm-1

强

1205.0cm-1

弱

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4. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

冰醋酸

HCL

HAc

36%

H2O2

30%

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5. 将下列微观缺陷种类与说法一一对应。

晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面

空位

填隙原子

占据晶格空隙处的多余原子

空位与杂质原子相结合而形成的复合体

络合体

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