光伏检测与分析-010

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一 、单选题

1. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。

49%

70%

30%

36%

答案：D
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2. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带负电，热端带正电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

答案：B
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3. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。

大于 小于

大于 大于

小于 小于

小于 大于

答案：A
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4. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

答案：A
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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7. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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10. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。

5%盐酸

1.0%浓度的亚硫酸氢纳

4%氢氧化钠

1%富尔马林溶液

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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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12. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

16

17

18

19

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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

悬浮物质

挥发物质

胶体物质

溶解物质

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14. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

8

9

10

11

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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16. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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17. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。

高 大

高 小

低 大

低 小

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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。

腐蚀液的成分

电极电位

缓冲剂的影响

腐蚀处理的温度和搅拌的影响

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2. 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（ ）有直接影响。

太阳能电池的光电转换效率

晶体管的放大倍数

开关管的开关时间

太阳能电池的填充因子

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3. 高纯水的检测时，测量方法有（ ）。

静置测量法

反渗透测量法

蒸发测量法

流动测量法

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4. 关于晶面指数，以下说法正确的是（ ）。

与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（101）

与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（010）

和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（001）

和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（110）

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5. 利用X射线形貌图来计算单晶中位错密度常用的方法有（ ）。

利用X射线形貌立体投影的方法

计算单位体积中位错线的长度

计算形貌图上穿过一定长度的位错线的数目

缀饰法

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 为什么测量半导体硅单晶导电类型时，要对单晶的被测表面进行喷砂处理？

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四 、配伍题

1. 将下列三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的主要试剂与要求一一对应。

优级纯再经一次提纯

氢氟酸

盐酸

优级纯再经石英亚沸蒸馏器提纯两次

每毫升含铍0.01μg，KCL0.67mg/ml

铍内标KCL载体混合溶液

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2. 将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。

反洗

将原水泵停止，阀门关闭，让多介质自然下沉，使沙层排列平整

原水由进口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

静止

正洗

水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除

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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。

P型电阻率

ρB

电子电荷

e

空穴迁移率

μp

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4. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

吸盘

X射线发生部分

X射线检测部分

X射线管

样品台

盖革计数管和计数时率计

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

Sirtl腐蚀液

10～15min

20 min以上

Dash腐蚀液

1～16h

Secco腐蚀液

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