2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包0机考期末试卷参考试题
来源:渝粤教育 时间:2025-01-11 05:59:50 13
光伏电池材料卷包-012
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一 、单选题
1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为( )。
冷热探针法
整流法
双电源动态电导法
霍尔效应法
答案:A
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为( )。
TIR
FPD
TTV
WARP
答案:C
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是( )。
四探针法
整流法
X射线法
显微镜观察法
答案:B
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是( )。
制造冶金硅的主要原料之一
能与HF反应
SiO2不溶于水,但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐,反应较快
石英是地壳中分布很少的矿物质
答案:D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si,28Si,
28Si,存量最多的是( )。
28Si
29Si
30Si
不能确定
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷,主要是( )。
悬挂键
杂质
位错
C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。
非晶硅薄膜
多晶硅
铜铟镓硒
微晶硅薄膜
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是( )。
布里奇曼法
电磁铸锭法
浇铸法
热交换法
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9. ( )是硅提纯的重要环节。
三氯氢硅的合成
三氯氢硅的还原
三氯氢硅的提纯
硅烷的提纯
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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是( )。
PH3
PH5
POCl3
B2O3
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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及( )。
放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长
缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长
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12. 生产直拉单晶硅时,单晶炉内需要通入( )作为保护气体。
空气
氧气
氩气
氢气
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13. 二元相图通常采用()的坐标系。
温度-压力(T-p)图
温度-浓度(T-x)图
三棱柱模型
压强-浓度(p-x)图
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14. GaAs属于( )。
面心立方结构
体心立方结构
闪锌矿结构
金刚石结构
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15. 多晶硅属于( )。
面心立方结构
体心立方结构
金刚石结构
简单立方结构
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是( )。
高的比表面积和大量的孔隙
尽可能多的吸附染料
晶粒越大越好
最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。
非晶硅薄膜
多晶硅
铜铟镓硒
微晶硅薄膜
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18. Dash工艺主要解决的是( )。
加入转晶
减少位错
放肩
热应力
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19. 对比传统西门子法,改良西门子法的优点,错误的是( )。
节约时间
降低物耗
节能
减少污染
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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是( )。
吸附
精馏
物理提纯法
区域提纯
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二 、多选题
1. 硅片的翘曲度一般用( )参数来表示。
BOW
TTV
TIR
WARP
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括( )。
升温熔化金属杂质
原金属沉淀的溶解
金属原子的扩散
金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于( )。
与坩埚接触部分引入了杂质
晶粒尺寸较小
晶体凝固的分凝作用
热应力
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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括:( )
原金属沉淀的溶解
金属原子的扩散
金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
升温熔化金属杂质
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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是( )。
隔离硅熔体与石英坩埚,减少杂质
绝热,保温
降低热应力
有效较少碎裂,使坩埚能重复利用
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6. 浇铸法的缺点在于( )。
熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染
有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂
生产效率低
能耗高
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7. 以下对吸附描述正确的是( )。
物理吸附是可逆的
物理吸附是不可逆的
化学吸附是可逆的
化学吸附是不可逆的
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8. 无坩埚区域提纯( )。
也可用于晶体生长
避免了坩埚的污染
熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
硅也能采用水平区域提纯法
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9. 有机太阳电池基本的结构模型有( )。
PIN结构
单层同异质结结构
双层异质结结构
单层混合膜异质结结构
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10. 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于( )。
材料和制造工艺成本低
易于形成大规模生产能力以及大面积化生产
易实现柔性电池
具有S-W效应
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三 、问答题
1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅,与单晶硅制备方法相比,成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质,它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中,为了制备优良的太阳能电池,在铸造多晶硅生长时,需要解决哪些问题?并简单叙述为什么要解决这些问题?
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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺?
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