2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包7机考期末试卷参考试题

来源:渝粤教育       时间:2025-01-11 06:45:11    11

光伏电池材料卷包-007

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一 、单选题

1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为( )。

冷热探针法

整流法

双电源动态电导法

霍尔效应法

答案:A
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2. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是( )。

四探针法

整流法

X射线法

显微镜观察法

答案:B
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案:B
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是( )。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下,硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案:D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si,28Si,

28Si,存量最多的是( )。

28Si

29Si

30Si

不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷,主要是( )。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是( )。

PH3

PH5

POCl3

B2O3

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9. 相平衡条件要求平衡相的( )相等。

温度

压强

体积

化学势

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是( )。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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11. 生产直拉单晶硅时,单晶炉内需要通入( )作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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12. 生产直拉单晶硅时,单晶炉内需要通入( )作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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13. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为( )。

直拉法

区熔法

西门子法

热交换法

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14. GaAs属于( )。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 硅晶胞中的原子数为( )。

1

8

14

4

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是( )。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃,沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃,沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是( )。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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二 、多选题

1. 硅片的平整度一般用( )参数来表示。

BOW

TTV

TIR

FPD

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2. 硅片清洗的作用是( )。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 磷在硅中很容易去除,在于( )。

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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4. 磷在硅中很容易去除,在于( )。

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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5. 浇铸法的缺点在于( )。

熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是( )。

隔离硅熔体与石英坩埚,减少杂质

绝热,保温

降低热应力

有效较少碎裂,使坩埚能重复利用

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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以( )方法为主。

区熔法

热交换法

直拉法

浇铸法

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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有( )。

节能

降低物耗

减少污染

生长速度快

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9. 有机太阳电池基本的结构模型有( )。

PIN结构

单层同异质结结构

双层异质结结构

单层混合膜异质结结构

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10. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有( )。

利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

非晶硅晶化制备

将多晶硅片切薄

对多晶硅片进行热处理

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三 、问答题

1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。

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2. 单晶硅生长和加工过程中,往往不可避免的会引入一些杂质,如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质,这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比,硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响?

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