光伏电池材料卷包-012

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一 、单选题

1. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

冷热探针法

整流法

双电源动态电导法国开一网一平台

霍尔效应法

答案：A
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

TIR

FPD

TTV

WARP

答案：C
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法

X射线法国开一网一平台

显微镜观察法

答案：B
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

制造冶金硅的主要原料之一

能与HF反应

SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

石英是地壳中分布很少的矿物质

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定国开搜题

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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9. （ ）是硅提纯的重要环节。

三氯氢硅的合成

三氯氢硅的还原

三氯氢硅的提纯

硅烷的提纯

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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

PH3

PH5

POCl3

B2O3

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11. CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（ ）。

放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

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12. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气渝粤题库

氢气

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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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14. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构渝粤搜题

金刚石结构

简单立方结构

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙国开搜题

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。国开一网一平台

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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19. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。国开一网一平台

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。

与坩埚接触部分引入了杂质

晶粒尺寸较小渝粤搜题

晶体凝固的分凝作用

热应力

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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

升温熔化金属杂质

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染国开搜题

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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8. 无坩埚区域提纯（ ）。

也可用于晶体生长

避免了坩埚的污染

熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

硅也能采用水平区域提纯法

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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。

PIN结构

单层同异质结结构国开一网一平台

双层异质结结构

单层混合膜异质结结构

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10. 非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（ ）。

材料和制造工艺成本低

易于形成大规模生产能力以及大面积化生产

易实现柔性电池

具有S-W效应渝粤搜题

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三 、问答题

1. 铸造多晶硅是利用铸造技术制备的多晶硅，与单晶硅制备方法相比，成本相对降低。但是铸造多晶硅中存在大量形态各异的晶粒、晶界、位错、杂质，它们都会对最终的转换效率产生影响。实际应用中，为了制备优良的太阳能电池，在铸造多晶硅生长时，需要解决哪些问题？并简单叙述为什么要解决这些问题？

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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？

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