光伏电池材料卷包-003

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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3. 少子寿命的物理意义是（ ）。

非平衡少数载流子复合所需要的平均时间

非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间

非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间

以上都不对

答案：A
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案：D
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5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

自然界中存在大量单质硅

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

不需要坩埚

需要一个石英坩埚用于溶化

需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

需要一个石墨坩埚

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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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11. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚

加热

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13. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

空位

杂质原子

位错

二次缺陷

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14. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1

8

14

4

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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19. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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20. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（ ）。

熔体稳定

晶体直径大

对多晶形状要求低

通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度

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4. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。

固液界面

热应力

来自坩埚的污染等

保护气氛

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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7. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

是制取一系列有机硅材料的中间体

生产多晶硅的重要原材料之一

无色、透明、极易挥发和水解

易燃易爆，对人体有毒害

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8. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

具有较大的内表面，吸附容量大

选择性高

具有一定的机械强度，抗磨损

有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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9. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。

PIN结构

单层同异质结结构

双层异质结结构

单层混合膜异质结结构

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10. 观察晶体中位错的方法有（ ）。

浸蚀观察法

透射电镜法

手触感觉法

肉眼观察法

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三 、问答题

1. 请简述直拉单晶硅生产的工艺流程，并阐述每一步工艺的作用。

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2. 比较FZ法与CZ法制备单晶硅的优缺点。

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