2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏检测与分析08机考期末试卷参考试题

来源:渝粤教育       时间:2025-01-11 06:11:55    12

光伏检测与分析-018

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一 、单选题

1. 用冷热探笔法测量( )半导体时,冷端带正电,热端带负电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

答案:A
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2. 用冷热探笔法测量( )半导体时,冷端带负电,热端带正电。

P型

N型

PN型

以上皆不是

答案:B
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3. 硅晶体中,氧的分凝系数( )1,碳的分凝系数( )1。

大于 小于

大于 大于

小于 小于

小于 大于

答案:A
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是( )。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

答案:B
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5. 光图定向法结果直观,操作( ),误差( )。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

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6. 晶面指数最低的晶面总是具有( )的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比( )。

较高

相同

较低

无法判断

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8. 以下表示晶面指数最恰当的是( )。

(664)

(463)

(333)

(246)

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9. RO反渗透技术是利用( )为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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10. 露点法测定气体中的水分时,本岗位存在的危险源是( )。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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11. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是( )法。

自然挥发法

基于时间的差别进行分离

过滤

化学分离

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12. 制取高纯水时一般采用( )交换树脂和( )交换树脂。

强酸型阳离子 强碱型阴离子

强碱型阴离子 强酸型阳离子

强酸型阳离子 强酸型阴离子

强碱型阳离子 强碱型阳离子

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13. 纯水是电阻率达到( )左右的水。

8

9

10

11

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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的( )大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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15. 露点法测定气体中的水分时,本岗位存在的危险源是( )。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越( ),吸收系数越( ),那么红外光的透射率就越小。

高 大

高 小

低 大

低 小

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17. ( )是影响硅器件的成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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18. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. 放射线同位素的量越多,放出的γ射线的强度( )。

越小

不变

越大

随机变化

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20. X射线定向法的误差可以控制在( )范围内,准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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二 、多选题

1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有( )。

腐蚀液的成分

电极电位

缓冲剂的影响

腐蚀处理的温度和搅拌的影响

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2. 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法,一般主要有( )。

瞬态法

直接法

稳态法

间接法

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3. 自动软化系统中的控制阀功位由( )盐箱注水组成。

运行

反洗

再生+慢洗

快洗

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4. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理,过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀,形成了( )。

氧施主

氧沉淀

二次缺陷

氧分离

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5. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有( )。

用金属导管将被测气体导入露点瓶,出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h

测定时,在封底铜管内加入制冷剂,在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌,使温度下降,注意观察,当喷口所对的铜管表面出现露斑,即读出温度值,这就是测得的露点温度

测定流速控制在250—300ml/min

通常测-34℃以下气体观察到的是霜点,根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃

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三 、问答题

1. 简述RO系统清洗条件。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么?

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四 、配伍题

1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

1.5%EDTA溶液

碳酸盐结垢

有机物污染及硫酸盐结构

1%富尔马林溶液

3%柠檬酸溶液

细菌污染

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2. 将下列离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。

强酸型离子交换树脂

5%-10%盐酸溶液3000ml

强碱型离子交换树脂

5%-10%氢氧化钠溶液2500ml

4%-5%Nacl溶液浸泡

干树脂

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3. 将下列立方晶系部分晶面间的夹角关系一一对应。

0° 60° 90°

{100} {100}

{100} {110}

0° 90°

{110} {110}

45° 90°

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4. 将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。

层析室

80℃±5℃

70℃±5℃

检测室

100℃±5℃

气化室

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5. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

70%

HF

49%

HNO3

H2O2

30%

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