2024秋最新国家开放大学国开电大机考期末光伏电池材料卷包4机考期末试卷参考试题
来源:渝粤教育 时间:2025-01-11 06:22:59 14
光伏电池材料卷包-004
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一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。
扩展电阻法
四探针法
两探针法
范德堡法
答案:B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是( )。
扩展电阻法
四探针法
两探针法
范德堡法
答案:B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为( )。
冷热探针法
整流法
双电源动态电导法
霍尔效应法
答案:A
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是( )。
制造冶金硅的主要原料之一
能与HF反应
SiO2不溶于水,但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐,反应较快
石英是地壳中分布很少的矿物质
答案:D
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是( )。
硅单质在常温下化学性质十分稳定
硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
在高温下,硅几乎与所有物质发生化学反应
硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
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6. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。
非晶硅薄膜
多晶硅
铜铟镓硒
微晶硅薄膜
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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷,主要是( )。
悬挂键
杂质
位错
C-Si弱键
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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是( )。
布里奇曼法
电磁铸锭法
浇铸法
热交换法
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9. ( )是硅提纯的重要环节。
三氯氢硅的合成
三氯氢硅的还原
三氯氢硅的提纯
硅烷的提纯
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10. 区熔法制备单晶硅时,以下说法正确的是( )。
不需要坩埚
需要一个石英坩埚用于溶化
需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
需要一个石墨坩埚
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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为( )。
直拉法
区熔法
西门子法
热交换法
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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是( )。
空位
杂质原子
位错
二次缺陷
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13. 二元相图通常采用()的坐标系。
温度-压力(T-p)图
温度-浓度(T-x)图
三棱柱模型
压强-浓度(p-x)图
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14. GaAs属于( )。
面心立方结构
体心立方结构
闪锌矿结构
金刚石结构
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15. 原子(或分子)的扩散是依靠( )缺陷的运动而实现的。
点缺陷
线缺陷
面缺陷
体缺陷
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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是( )。
高的比表面积和大量的孔隙
尽可能多的吸附染料
晶粒越大越好
最大限度的与电解质紧密接触
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17. 以下太阳电池成本(单位:美元/W)最低的是( )。
非晶硅薄膜
多晶硅
铜铟镓硒
微晶硅薄膜
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18. 改良西门子法所采用的提纯工艺是( )。
吸附
精馏
物理提纯法
区域提纯
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19. Dash工艺主要解决的是( )。
加入转晶
减少位错
放肩
热应力
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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是( )。
无色而有刺鼻气味的液体
熔点-70℃,沸点57.6℃
可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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二 、多选题
1. 硅片清洗的作用是( )。
提高绝缘性能
去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
降低杂质离子对P-N结性能的影响
降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括( )。
升温熔化金属杂质
原金属沉淀的溶解
金属原子的扩散
金属杂质在吸杂点处的重新沉淀
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3. 金属杂质的吸杂工艺一般包括:( )
原金属沉淀的溶解
金属原子的扩散
金属杂质的吸杂点处的重新沉淀
升温熔化金属杂质
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4. 磷在硅中很容易去除,在于( )。
磷在硅熔液中很快得到蒸发
磷的密度小
磷在硅中的分配系数小于1
磷的熔点低
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5. 浇铸法的缺点在于( )。
熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染
有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂
生产效率低
能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是( )。
隔离硅熔体与石英坩埚,减少杂质
绝热,保温
降低热应力
有效较少碎裂,使坩埚能重复利用
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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括( )。
具有较大的内表面,吸附容量大
选择性高
具有一定的机械强度,抗磨损
有良好的物理及化学性能,耐热冲击,耐腐蚀
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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有( )。
节能
降低物耗
减少污染
生长速度快
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9. 观察晶体中位错的方法有( )。
浸蚀观察法
透射电镜法
手触感觉法
肉眼观察法
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10. 关于三氯氢硅说法正确的是( )。
无色透明液体
可由硅粉与氯化氢合成而得
可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅
熔点-128℃,沸点31.5℃
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三 、问答题
1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。
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2. 简述直熔法的基本原理。
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