光伏电池材料卷包-004

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一 、单选题国开搜题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法国开搜题

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

冷热探针法

整流法

双电源动态电导法

霍尔效应法

答案：A
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

制造冶金硅的主要原料之一

能与HF反应

SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

石英是地壳中分布很少的矿物质

答案：D
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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9. （ ）是硅提纯的重要环节。

三氯氢硅的合成

三氯氢硅的还原

三氯氢硅的提纯

硅烷的提纯

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10. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

不需要坩埚

需要一个石英坩埚用于溶化

需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

需要一个石墨坩埚

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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。

直拉法渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

区熔法

西门子法渝粤教育

热交换法

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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。渝粤题库

空位

杂质原子

位错

二次缺陷

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13. 二元相图通常采用（）的坐标系。

温度-压力（T-p）图

温度-浓度（T-x）图

三棱柱模型

压强-浓度（p-x）图

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14. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料国开一网一平台

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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19. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能渝粤教育

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定国开一网一平台

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

升温熔化金属杂质

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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。渝粤题库

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

具有较大的内表面，吸附容量大

选择性高

具有一定的机械强度，抗磨损

有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

节能

降低物耗

减少污染

生长速度快

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9. 观察晶体中位错的方法有（ ）。

浸蚀观察法

透射电镜法

手触感觉法

肉眼观察法

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10. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

无色透明液体

可由硅粉与氯化氢合成而得

可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅

熔点-128℃，沸点31.5℃国开一网一平台

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三 、问答题

1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。

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2. 简述直熔法的基本原理。

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