光伏电池材料卷包-006

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法国开搜题

范德堡法

答案：B
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2. 少子寿命的物理意义是（ ）。

非平衡少数载流子复合所需要的平均时间

非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间

非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间

以上都不对

答案：A
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法国开搜题

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si渝粤教育渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

29Si

30Si

不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质渝粤教育

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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9. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。

不需要坩埚

需要一个石英坩埚用于溶化

需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

需要一个石墨坩埚

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10. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。

直拉法

区熔法渝粤题库

西门子法

热交换法

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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

空位

杂质原子

位错

二次缺陷渝粤题库

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13. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚

加热

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14. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1

8

14

4

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。国开搜题

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能渝粤搜题

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（ ）。

熔体稳定

晶体直径大

对多晶形状要求低

通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度

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4. 多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（ ）。

与坩埚接触部分引入了杂质

晶粒尺寸较小

晶体凝固的分凝作用

热应力

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。渝粤题库

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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7. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的渝粤题库

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

节能

降低物耗

减少污染

生长速度快

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9. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。

长程有序

固定熔点

解理性

各向异性

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10. 关于硅的电阻率说法正确的是（ ）。

在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降

硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感

N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子

N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多

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三 、问答题

1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。

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2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？

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