光伏电池材料卷包-008

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一 、单选题

1. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法

X射线法

显微镜观察法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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3. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

冷热探针法

整流法渝粤搜题

双电源动态电导法

霍尔效应法

答案：A
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4. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

答案：D
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5. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。

制造冶金硅的主要原料之一

能与HF反应

SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快

石英是地壳中分布很少的矿物质

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法国开搜题

浇铸法

热交换法渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

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9. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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10. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

温度

压强

体积

化学势

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11. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

透射电镜法

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

空位

杂质原子渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

位错

二次缺陷

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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

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14. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1

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14

4

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附

精馏

物理提纯法

区域提纯

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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二 、多选题

1. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV渝粤教育

TIR

FPD

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。

化料

晶体生长

退火

坩锅喷涂

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4. 磷在硅中很容易去除，在于（ ）。渝粤题库

磷在硅熔液中很快得到蒸发

磷的密度小

磷在硅中的分配系数小于1

磷的熔点低

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温国开搜题

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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7. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

是制取一系列有机硅材料的中间体

生产多晶硅的重要原材料之一

无色、透明、极易挥发和水解

易燃易爆，对人体有毒害

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8. 无坩埚区域提纯（ ）。

也可用于晶体生长

避免了坩埚的污染渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

硅也能采用水平区域提纯法

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9. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。

长程有序

固定熔点

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各向异性渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

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10. 有机太阳电池基本的结构模型有（ ）。渝粤题库

PIN结构

单层同异质结结构

双层异质结结构

单层混合膜异质结结构

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三 、问答题

1. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？

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2. 与直拉单晶硅相比，铸造多晶硅的主要优势及其缺点有哪些？

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