光伏电池材料卷包-011

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

X射线法

显微镜观察法

答案：B
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4. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

自然界中存在大量单质硅

答案：D
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5. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。

温度渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

压强国开搜题

体积渝粤搜题

化学势

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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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11. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚渝粤题库

加热

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12. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

空位

杂质原子

位错

二次缺陷

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13. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

透射电镜法

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

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14. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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15. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构渝粤题库

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能渝粤搜题

减少污染

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附国开搜题

精馏

物理提纯法

区域提纯

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

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2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。

化料

晶体生长

退火

坩锅喷涂

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4. 金属杂质的吸杂工艺一般包括：（ ）

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质的吸杂点处的重新沉淀

升温熔化金属杂质渝粤搜题

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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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7. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

节能

降低物耗

减少污染

生长速度快

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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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9. 下列关于硅的卤化物说法正确的是（ ）。渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

都是共价化合物

熔点、沸点都比较低

无水四氟化硅不稳定

四氟化硅无色、有刺激气味、在水中强烈水解

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10. 具有金刚石结构的晶体的解理面包括（ ）。

{100}晶面

{211}晶面

{111}晶面

{110}晶面

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三 、问答题

1. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？

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2. 请简述直拉单晶硅生产的工艺流程，并阐述每一步工艺的作用。

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