光伏电池材料卷包-010

关注公众号【国开搜题】，回复【试题】获取试题答案

一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
- 关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

2. 利用温差电效应来测量晶体硅导电类型的方法称为（ ）。

冷热探针法

整流法

双电源动态电导法

霍尔效应法

答案：A
- 关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

3. 用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（ ）。

四探针法

整流法

X射线法

显微镜观察法

答案：B
- 关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定

答案：A
- 关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制

自然界中存在大量单质硅渝粤题库

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

6. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒渝粤教育

微晶硅薄膜

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

7. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

8. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

9. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

PH3

PH5国开搜题

POCl3渝粤搜题

B2O3

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显国开一网一平台

取决于温度

取决于硼的含量

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

11. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

透射电镜法

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。

空气

氧气

氩气

氢气

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

14. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1

8

14

4

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。渝粤搜题

18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗渝粤搜题

节能

减少污染

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

19. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错渝粤搜题

放肩

热应力

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

二 、多选题

1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR

WARP

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

2. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

3. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。

固液界面

热应力

来自坩埚的污染等

保护气氛

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

4. 关于光致衰减效应说法正确的是（ ）。

简称S-W效应渝粤题库

在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低国开一网一平台

在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态

铸造多晶硅没有光致衰减

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

5. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

7. 无坩埚区域提纯（ ）。

也可用于晶体生长国开搜题

避免了坩埚的污染

熔硅不会流动是由于其很大的表面张力

硅也能采用水平区域提纯法

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

8. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

是制取一系列有机硅材料的中间体

生产多晶硅的重要原材料之一

无色、透明、极易挥发和水解

易燃易爆，对人体有毒害

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

9. 常用的多晶硅薄膜的制备方法有（ ）。

利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜

非晶硅晶化制备

将多晶硅片切薄

对多晶硅片进行热处理

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

10. 观察晶体中位错的方法有（ ）。渝粤教育

浸蚀观察法

透射电镜法

手触感觉法

肉眼观察法

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

三 、问答题

1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

2. 简述单晶硅、多晶硅、非晶硅的定义及主要相关工艺？

答案：关注公众号【国开搜题】，对话框内发送试题，获得答案。

关注公众号【国开搜题】，回复【试题】获取试题答案渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。