光伏电池材料卷包-014

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一 、单选题

1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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2. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

TIR

FPD

TTV

WARP

答案：C
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法国开搜题

范德堡法渝粤题库

答案：B
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定

答案：A
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。

硅单质在常温下化学性质十分稳定

硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应

在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应

硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

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杂质

位错

C-Si弱键

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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9. 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（ ）。

布里奇曼法渝粤题库

电磁铸锭法

浇铸法

热交换法

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10. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

PH3

PH5

POCl3

B2O3

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11. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

透射电镜法渝粤搜题

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚

加热

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13. 太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（ ）。

空位

杂质原子

位错

二次缺陷

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14. GaAs属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

闪锌矿结构

金刚石结构

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15. 硅晶胞中的原子数为（ ）。

1渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

8

14

4

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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好

最大限度的与电解质紧密接触

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18. 对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（ ）。

节约时间

降低物耗

节能

减少污染

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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。

吸附国开一网一平台

精馏

物理提纯法

区域提纯

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 金属杂质的吸杂工艺一般包括（ ）。

升温熔化金属杂质

原金属沉淀的溶解

金属原子的扩散

金属杂质在吸杂点处的重新沉淀

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2. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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3. 以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（ ）。

化料

晶体生长

退火

坩锅喷涂

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4. 由于跟FZ技术相比，CZ法具有（ ）。

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晶体直径大

对多晶形状要求低

通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低国开搜题

能耗高

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7. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。

具有较大的内表面，吸附容量大

选择性高渝粤搜题

具有一定的机械强度，抗磨损

有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀

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8. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。

节能

降低物耗

减少污染

生长速度快

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9. 关于三氯氢硅说法正确的是（ ）。

无色透明液体

可由硅粉与氯化氢合成而得

可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅国开搜题

熔点-128℃，沸点31.5℃

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10. 关于点缺陷说法正确的是（ ）。

金属中的点缺陷增加了电阻

空位越多，晶体的密度越低国开一网一平台

点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行

点缺陷使得滑移更容易进行

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三 、问答题

1. 晶体缺陷根据缺陷的空间几何图像的分类及各自代表性缺陷。

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2. 在铸造多晶硅制备过程中，石英坩埚内壁涂层SiO/SiN有什么作用？

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