光伏电池材料卷包-020

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一 、单选题

1. 硅片厚度的最大值与最小值之差表示为（ ）。

TIR

FPD

TTV

WARP

答案：C
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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3. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。

扩展电阻法

四探针法

两探针法

范德堡法

答案：B
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4. 自然界中硅有三种同位素28Si，28Si，

28Si，存量最多的是（ ）。

28Si

29Si

30Si

不能确定

答案：A
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5. 据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是（ ）。

便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料

自然界的含硅化合物易开采

硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

自然界中存在大量单质硅

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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。

悬挂键

杂质

位错

C-Si弱键渝粤题库

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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。渝粤教育

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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8. 硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（ ）。

PH3

PH5

POCl3

B2O3

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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。渝粤教育

温度

压强

体积国开一网一平台

化学势

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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。

几乎无效果渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

效果明显

取决于温度

取决于硼的含量

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11. 适用于制备高阻单晶硅和探测器高纯单晶硅的方法为（ ）。

直拉法

区熔法

西门子法

热交换法

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12. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。

透射电镜法

肉眼观察法

浸蚀观察法

手触感觉法

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13. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。

盛硅熔体

补充氧

支撑石英坩埚

加热

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14. 多晶硅属于（ ）。

面心立方结构

体心立方结构

金刚石结构

简单立方结构

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15. 原子（或分子）的扩散是依靠（ ）缺陷的运动而实现的。渝粤搜题

点缺陷

线缺陷

面缺陷

体缺陷渝粤搜题

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16. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。

高的比表面积和大量的孔隙

尽可能多的吸附染料

晶粒越大越好国开一网一平台

最大限度的与电解质紧密接触渝粤搜题

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17. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。

非晶硅薄膜

多晶硅

铜铟镓硒

微晶硅薄膜

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18. Dash工艺主要解决的是（ ）。

加入转晶

减少位错

放肩

热应力

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19. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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20. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。

无色而有刺鼻气味的液体

熔点-70℃，沸点57.6℃

可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用

不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂

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二 、多选题

1. 硅片清洗的作用是（ ）。

提高绝缘性能

去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘

降低杂质离子对P-N结性能的影响国开一网一平台

降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定

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2. 硅片的平整度一般用（ ）参数来表示。

BOW

TTV

TIR国开一网一平台

FPD

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3. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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4. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。

固液界面渝粤题库，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。

热应力

来自坩埚的污染等

保护气氛

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5. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。

隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质渝粤题库

绝热，保温

降低热应力

有效较少碎裂，使坩埚能重复利用

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6. 浇铸法的缺点在于（ ）。

熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染

有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂

生产效率低

能耗高

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7. 目前工业生产中由高纯多晶硅生长单晶硅基本上以（ ）方法为主。

区熔法

热交换法

直拉法

浇铸法

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8. 以下对吸附描述正确的是（ ）。

物理吸附是可逆的

物理吸附是不可逆的

化学吸附是可逆的

化学吸附是不可逆的

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9. 下列属于晶体的宏观特性的有（ ）。

长程有序

固定熔点

解理性

各向异性

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10. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。

廉价的衬底材料

制备是在低温下进行

可柔性化

非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度

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三 、问答题

1. 与直拉单晶硅相比，铸造多晶硅的主要优势及其缺点有哪些？

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2. 铸造多晶硅晶体生长时面临的主要问题及可能的解决途径？

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