光伏检测与分析-006

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一 、单选题

1. 三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

温差电效应

整流效应

以上二种皆可

以上二种皆不可

答案：B
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2. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

温差电效应

整流效应

以上二种皆可

以上二种皆不可

答案：A
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

答案：B
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4. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。

简单 较大

复杂 较大

简单 较小

复杂 较小

答案：A
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5. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。

3min

5min

10min

20min

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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。

（664）

（463）

（333）

（246）

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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。

最小

相等

最大

无法判断

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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。

液氮低温冻伤

潜在氢气泄露引起的爆炸

温度过高

没有明显危险源

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10. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。

吸附力

离子交换

电力

压力差

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11. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。

混合氯代硅烷

氯化氢

磷化氢

水

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12. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。

16

17

18

19

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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。

悬浮物质

挥发物质

胶体物质

溶解物质

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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。

CL-

Na

H+和OH-

Ca

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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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16. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。

较高

相同

较低

无法判断

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17. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷

线缺陷

面缺陷

微缺陷

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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。

±10'

±15'

±20'

±30'

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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。

越小

不变

越大

随机变化

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二 、多选题

1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。

氧施主

氧沉淀

二次缺陷

氧分离

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2. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。

使整个样品加底光照

加底光照后用氙灯闪光进行照射

将硅单晶加热到50～70℃

将硅单晶加热到60～80℃

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3. 影响树脂再生的主要因素有（ ）。

再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等

终点PH值的大小

离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等

杂质量的多少

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4. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。

反射

折射

吸收

透过

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5. 在立方晶系中，主要有如下（ ）性质。

a=b=c

体积

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三 、问答题

1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。

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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。

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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？

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四 、配伍题

1. 将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。

层析室

80℃±5℃

70℃±5℃

检测室

气化室

100℃±5℃

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2. 将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。

反洗

将原水泵停止，阀门关闭，让多介质自然下沉，使沙层排列平整

原水由进口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体

静止

正洗

水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除

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3. 硅中氧和硅原子之间组成非线性Si-O-Si模型，请将以下关系一一对应。

硅原子向氧原子运动，振动频率1205 cm-1

硅-氧键的对称伸张振动

硅-氧键的弯曲振动

硅原子偏离赤道面，振动频率515 cm-1

硅原子沿硅-氧键的方向运动，振动频率1105 cm-1

硅-氧键的反对称伸张振动

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4. 将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。

样品电阻率>1000

样品电流＜1

样品电流＜0.1

样品电阻率30～1000

样品电阻率1～30

＜0.01

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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

10～15min

Shimmle腐蚀液

20 min以上

Wright腐蚀液

Sirtl腐蚀液

5min

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